IXGK50N60A2U1和IXGK72N60A3H1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXGK50N60A2U1 IXGK72N60A3H1

描述 IGBT 600V 75A 400W TO264AAIGBT 600V 75A 540W TO264

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-264-3 TO-264-3

耗散功率 - 540 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

反向恢复时间 - 140 ns

额定功率(Max) 400 W 540 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

长度 - 20.29 mm

宽度 - 5.31 mm

高度 - 26.59 mm

封装 TO-264-3 TO-264-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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