对比图
描述 达林顿互补硅功率晶体管 Complementary Darlington Silicon Power TransistorsON SEMICONDUCTOR MJ11021G 单晶体管 双极, PNP, 250 V, 150 W, 15 A, 15 hFE
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 2
封装 TO-3 TO-204-2
额定电压(DC) -250 V -250 V
额定电流 -15.0 A -15.0 A
极性 PNP PNP, P-Channel
耗散功率 175000 mW 175 W
击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V
集电极最大允许电流 15A 15A
最小电流放大倍数(hFE) 400 @10A, 5V 400 @10A, 5V
最大电流放大倍数(hFE) 15000 15000
额定功率(Max) 175 W 175 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
增益带宽 3MHz (Min) 3MHz (Min)
耗散功率(Max) 175000 mW 175000 mW
输出电压 - 250 V
输出电流 - 15 A
针脚数 - 2
直流电流增益(hFE) - 15
输入电压 - 50 V
高度 8.51 mm 8.51 mm
封装 TO-3 TO-204-2
长度 - 39.37 mm
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tray Tray
最小包装 100 -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
ECCN代码 - EAR99