对比图
型号 MPSW06 MPSW06G MPSW06RLRAG
描述 一瓦的放大器晶体管（ NPN硅） One Watt Amplifier Transistors(NPN Silicon)ON SEMICONDUCTOR MPSW06G 双极晶体管ON SEMICONDUCTOR MPSW06RLRAG 射频晶体管, NPN, 80V 50MHz TO-92
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V
额定电流 500 mA 500 mA 500 mA
极性 N-Channel NPN NPN
耗散功率 1.00 W 1 W 1 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
最小电流放大倍数(hFE) 60 @250mA, 1V 60 @250mA, 1V 60 @250mA, 1V
额定功率(Max) 1 W 1 W 1 W
频率 - 50 MHz 50 MHz
针脚数 - 3 3
集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A
直流电流增益(hFE) - 50 60
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1000 mW 1000 mW
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon Silicon
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Bulk Box Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99