JAN2N3810和JANTXV2N3810L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3810 JANTXV2N3810L JANTXV2N3810

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-78,TO-78 PNP 60V 0.05ATO-78 PNP 60V 0.05A

数据手册 ---

制造商 Raytheon (雷神) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-78-6 TO-78-6

引脚数 - - 6

极性 - PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V 60 V

集电极最大允许电流 - 0.05A 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) - 150 @1mA, 5V 150 @1mA, 5V

额定功率(Max) - 350 mW 350 mW

封装 - TO-78-6 TO-78-6

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Contains Lead

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