IPD90N04S4L-04和NP90N04VLG-E2-AY

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD90N04S4L-04 NP90N04VLG-E2-AY NP90N04VUG-E1-AY

描述 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-TransistorDPAK N-CH 40V 90ADPAK N-CH 60V 90A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 DPAK TO-252-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 71 W - 1.2W (Ta), 105W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 90A 90A 90A

上升时间 11 ns - 20 ns

输入电容(Ciss) 4690pF @25V(Vds) - 7500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 71 W - 1.2 W

下降时间 28 ns - 11 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 71000 mW - 1.2W (Ta), 105W (Tc)

通道数 1 - -

阈值电压 1.2 V - -

封装 TO-252-3 DPAK TO-252-3

长度 6.5 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.3 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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