6116SA35PG和IDT6116SA35P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6116SA35PG IDT6116SA35P 6116SA35P

描述 Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24CMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类

基础参数对比

引脚数 24 - -

封装 DIP DIP DIP

长度 31.75 mm - -

宽度 15.24 mm - -

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant -

ECCN代码 - EAR99 -

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