CY7C1049CV33-10ZXI和IS61WV5128BLL-10TLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1049CV33-10ZXI IS61WV5128BLL-10TLI GS74108AGP-10I

描述 4兆位( 512K的× 8 )静态RAM自动断电时取消 4-Mbit (512 K × 8) Static RAM Automatic power down when deselectedRAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)GSI TECHNOLOGY  GS74108AGP-10I  芯片, 4MB ASYNCH芯片, SRAM 512K X 8, 10NS, SMD

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) GSI

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 44 44

封装 TSOP TSOP-44 TSOP

针脚数 - 44 44

位数 - 8 -

存取时间 - 10 ns 10 ns

存取时间(Max) - 10 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.3 V 2.4V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(DC) - - 3.00V (min)

内存容量 - - 500000 B

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

长度 - 18.54 mm -

宽度 - 10.29 mm -

高度 - 1.05 mm -

封装 TSOP TSOP-44 TSOP

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tray Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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