109D825X9100C2和TAS825K075P1F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 109D825X9100C2 TAS825K075P1F 109D825X9060C2

描述 Cap Tant Wet 8.2uF 100V 10% (5.56 X 15.45mm) Axial 6Ω 125℃ Plastic Tray8.2uF ±10% 75V Φ7.34mm 17.42mmCAP TANT 8.2uF 60V 10% AXIAL

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Cornell Dubilier Electronics(CDE) Vishay Semiconductor (威世)

分类 钽电容钽电容电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 Axial Axial Axial

电容 8.2 µF 8.2 µF 8.2 μF

等效串联电阻(ESR) 6 Ω - 8 Ω

容差 ±10 % ±10 % ±10 %

额定电压 100 V 75 V 60 V

额定电压(DC) - 75.0 V -

产品系列 - TAS -

工作温度(Max) - 125 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

纹波电流 130 mA - -

封装 Axial Axial Axial

高度 - 17.42 mm -

直径 - Φ7.34mm -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

介质材料 - Tantalum -

包装方式 Tray Bulk Tray

产品生命周期 - Obsolete -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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