KST2222AMTF和MMBT2222ALT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KST2222AMTF MMBT2222ALT1G MMBT2222LT1G

描述 ON Semiconductor KST2222AMTF , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:35, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装ON SEMICONDUCTOR  MMBT2222ALT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 300 hFEON SEMICONDUCTOR  MMBT2222LT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 250 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 300 MHz 250 MHz

额定电压(DC) - 40.0 V 30.0 V

额定电流 - 600 mA 600 mA

额定功率 - 225 mW 300 mW

针脚数 3 3 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 350 mW 225 mW 225 mW

增益频宽积 - 300 MHz 250 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 30 V

集电极最大允许电流 - 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 350 mW 225 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 35 300 250

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

最大电流放大倍数(hFE) - - 300

长度 2.9 mm 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.97 mm 0.94 mm 1.11 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -

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