对比图
型号 GA20SICP12-247 GA20SICP12-263
描述 TRANS SJT 1200V 45A TO247GENESIC SEMICONDUCTOR GA20SICP12-263 合成包, 碳化硅结晶体管/肖特基二极管, 1.2KV, TO-263
数据手册 --
制造商 GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
分类 MOS管JFET晶体管
安装方式 Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-247-3 TO-263-3
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 50 mΩ
耗散功率 282W (Tc) 157 W
漏源极电压(Vds) 1200 V 1.2 kV
漏源击穿电压 - 1200 V
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 282W (Tc) 131000 mW
输入电容(Ciss) 3091pF @800V(Vds) -
长度 - 10.668 mm
宽度 - 9.169 mm
高度 - 4.6 mm
封装 TO-247-3 TO-263-3
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -