IRF7811AVTR和IRF7811AVTRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7811AVTR IRF7811AVTRPBF

描述 SOIC N-CH 30V 10.8A晶体管, MOSFET, N沟道, 10.8 A, 30 V, 0.011 ohm, 4.5 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 3.5 W

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 14 mΩ

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W

阈值电压 - 3 V

输入电容 - 1801pF @10V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V

连续漏极电流(Ids) 10.8 A 10.8A

上升时间 21.0 ns 21 ns

输入电容(Ciss) 1801pF @10V(Vds) 1801pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W

下降时间 - 10 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) 30.0 V -

额定电流 14.0 A -

产品系列 IRF7811AV -

长度 - 5 mm

高度 - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR), Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

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