对比图
型号 APT15F50K SIHP14N50D-GE3 FQP13N50
描述 MICROSEMI APT15F50K 场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 15A, TO-220VISHAY SIHP14N50D-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.32 ohm, 10 V, 3 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP13N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 500 V - 500 V
额定电流 15.0 A - 12.5 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.33 Ω 0.32 Ω 0.33 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 223 W 208 W 170 W
阈值电压 4 V 3 V 5 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 15.0 mA - 12.5 A
上升时间 12 ns 27 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 1144pF @100V(Vds) 2300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 225 W - 170 W
下降时间 8 ns 26 ns 85 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 223W (Tc) 208 W 170W (Tc)
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - - 500 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.51 mm 10.67 mm
宽度 - 4.65 mm 4.7 mm
高度 - 9.01 mm 16.3 mm
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete - Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99