PZT2222A,135和PZT2222A,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PZT2222A,135 PZT2222A,115 PZT2222AT1G

描述 SC-73 NPN 40V 0.6ANXP  PZT2222A,115  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 200 MHz, 1.15 W, 600 mA, 100 hFEON SEMICONDUCTOR  PZT2222AT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 1.5 W, 600 mA, 300 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

频率 300 MHz 300 MHz 300 MHz

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 600 mA

针脚数 - 3 4

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.15 W 1.15 W 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

热阻 - - 83.3℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 1.15 W 1.15 W 1.5 W

直流电流增益(hFE) - 100 300

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1150 mW 1150 mW 1500 mW

最大电流放大倍数(hFE) 35 @0.1mA, 10V - -

长度 - 6.7 mm 6.5 mm

宽度 - 3.7 mm 3.5 mm

高度 - 1.7 mm 1.57 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

材质 - - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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