对比图
型号 IRFP048 IRFP048N IRFP048NPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3TO-247AC N-CH 55V 64AN 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - - 3
封装 - TO-247-3 TO-247-3
额定功率 - - 130 W
通道数 - - 1
漏源极电阻 - 16.0 mΩ (max) 0.016 Ω
极性 - N-CH N-CH
耗散功率 - 140W (Tc) 140 W
阈值电压 - - 4 V
输入电容 - - 1900pF @25V
漏源极电压(Vds) - 55 V 55 V
漏源击穿电压 - 55.0V (min) 55 V
连续漏极电流(Ids) - 64.0 A 64A
上升时间 - 78.0 ns 78 ns
输入电容(Ciss) - 1900pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds)
下降时间 - - 48 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - 140W (Tc) 140W (Tc)
额定电压(DC) - 55.0 V -
额定电流 - 36.0 A -
产品系列 - IRFP048N -
长度 - - 15.9 mm
宽度 - - 5.31 mm
高度 - - 20.3 mm
封装 - TO-247-3 TO-247-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bulk Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free