对比图
型号 70V3579S6BF8 IDT70V3579S6DR 70V3579S6BCI
描述 静态随机存取存储器 32K X 36 SYNCH DPRAM高速3.3V 32K ×36同步流水式双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACEDual-Port SRAM, 32KX36, 6ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, 1MM PITCH, BGA-256
数据手册 ---
制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)
分类 RAM芯片存储芯片存储芯片
封装 LFBGA-208 FQFP LBGA-256
引脚数 208 - 256
封装 LFBGA-208 FQFP LBGA-256
长度 15 mm - 17.0 mm
宽度 15 mm - 17.0 mm
厚度 1.40 mm - 1.40 mm
高度 1.4 mm - -
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Bulk
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
ECCN代码 - 3A991 -
电源电压 3.15V ~ 3.45V - 3.15V ~ 3.45V
存取时间 6 ns - -
工作温度(Max) 70 ℃ - -
工作温度(Min) 0 ℃ - -
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)