JAN1N4118和JAN1N4118D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N4118 JAN1N4118D JANTXV1N4118

描述 硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

稳压值 27 V 27 V 27 V

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

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