IRF323和VN2450N8-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF323 VN2450N8-G VN2450N8

描述 2.8A和3.3A , 350V和400V , 1.8和2.5 Ohm的N通道功率MOSFET 2.8A and 3.3A, 350V and 400V, 1.8 and 2.5 Ohm, N-Channel Power MOSFETsTrans MOSFET N-CH 500V 0.25A 3Pin SOT-89 T/RTrans MOSFET N-CH 500V 0.25A 4Pin(3+Tab) SOT-89

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) Microchip (微芯) Supertex (超科)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 4

封装 - SOT-89-3 SOT-89

额定功率 - 1.6 W -

耗散功率 - 1.6 W 1.60 W

漏源极电压(Vds) - 500 V -

上升时间 - 10 ns -

输入电容(Ciss) - 150pF @25V(Vds) -

下降时间 - 20 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 1.6W (Ta) -

漏源极电阻 - - 13.0 Ω

极性 - - N-Channel

漏源击穿电压 - - 500 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 250 mA

封装 - SOT-89-3 SOT-89

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - 无铅 -

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