对比图
型号 2SD2406-Y(F) KSD1408YTU
描述 TO-220NIS NPN 80V 4ANPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
数据手册 --
制造商 Toshiba (东芝) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3
极性 NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V
集电极最大允许电流 4A 4A
最小电流放大倍数(hFE) 120 @500mA, 5V 120 @500mA, 5V
额定功率(Max) 25 W 25 W
额定电压(DC) - 80.0 V
额定电流 - 4.00 A
耗散功率 - 25 W
最大电流放大倍数(hFE) - 240
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 25 W
封装 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.16 mm
宽度 - 2.54 mm
高度 - 15.87 mm
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99