SI4952DY-T1-E3和SI4952DY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4952DY-T1-E3 SI4952DY-T1-GE3

描述 MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOICMOSFET N-CH DUAL 25V 8A 8-SOIC

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V

输入电容(Ciss) 680pF @13V(Vds) 680pF @13V(Vds)

额定功率(Max) 2.8 W 2.8 W

极性 - N-Channel, Dual N-Channel

连续漏极电流(Ids) - 8.00 A

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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