对比图
型号 SI4944DY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 SI4922BDY-T1-E3
描述 MOSFET N-CH DUAL 30V 9.3A 8-SOICMOSFET DUAL N-CH 20V 8A 8-SOICMOSFET N-CH DUAL 30V 8A 8-SOIC
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
漏源极电阻 - 0.022 Ω 0.024 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel -
耗散功率 - 3.1 W 3.1 W
阈值电压 - 1.5 V 1.8 V
输入电容 - 1200pF @10V 2070pF @15V
漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V
漏源击穿电压 - 20 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 12.2 A 8.00 A -
上升时间 - 10 ns -
热阻 - 32℃/W (RθJA) 50℃/W (RθJA)
输入电容(Ciss) - 1200pF @10V(Vds) 2070pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1.3 W 3.1 W 3.1 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -50 ℃
工作结温(Max) - 150 ℃ -
长度 4.9 mm 5 mm 5 mm
高度 1.75 mm 1.55 mm 1.55 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
宽度 3.9 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2014/06/16