对比图
型号 IPB120N06S402ATMA1 IPB120N06S402ATMA2
描述 D2PAK N-CH 60V 120AInfineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB120N06S402ATMA2, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-263-3-2 TO-263-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 188W (Tc) 188 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 120A 120A
上升时间 - 5 ns
输入电容(Ciss) 15750pF @25V(Vds) 12120pF @25V(Vds)
下降时间 - 10 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 188W (Tc) 188W (Tc)
长度 - 10 mm
宽度 - 9.25 mm
高度 - 4.4 mm
封装 TO-263-3-2 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅