FC30和TK14A65W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FC30 TK14A65W STF20NM65N

描述 Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS220, 3 PINTrans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3Pin(3+Tab) TO-220SISN 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 - SC-67 TO-220-3

安装方式 - - Through Hole

引脚数 - - 3

封装 - SC-67 TO-220-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 4.6 mm

高度 - - 16.4 mm

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.25 Ω

极性 - - N-Channel

耗散功率 - - 30 W

阈值电压 - - 3 V

漏源极电压(Vds) - - 650 V

连续漏极电流(Ids) - - 15A

上升时间 - - 13.5 ns

输入电容(Ciss) - - 1280pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - - 30 W

下降时间 - - 21 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 30W (Tc)

工作温度 - - 150℃ (TJ)

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