对比图
型号 BSC0909NS BSC090N03LSG BSC080N03LSGATMA1
描述 30V,9.2mΩ,44A,N沟道功率MOSFET30V,47A,N沟道功率MOSFETINFINEON BSC080N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-TDSON-8 SuperSO-8 PG-TDSON-8
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 32.0 W 35 W
漏源极电压(Vds) 34 V 30 V 30 V
上升时间 4.4 ns 2.6 ns 2.8 ns
输入电容(Ciss) 1110pF @15V(Vds) 1500pF @15V(Vds) 1300pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 27 W 32 W -
下降时间 5.4 ns 2.4 ns 2.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 27W (Tc) 2500 mW 2.5W (Ta), 35W (Tc)
通道数 1 - 1
漏源极电阻 7.7 mΩ - 0.0067 Ω
漏源击穿电压 34 V - 30 V
连续漏极电流(Ids) 12A - 14A
额定功率 - - 35 W
针脚数 - - 8
阈值电压 - - 2.2 V
封装 PG-TDSON-8 SuperSO-8 PG-TDSON-8
长度 5.9 mm - 5.9 mm
宽度 5.15 mm - 5.15 mm
高度 1.27 mm - 1.27 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)