对比图
型号 CY7C1418AV18-200BZXC CY7C1418BV18-250BZC CY7C1418KV18-250BZI
描述 36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 - 165 165
封装 FBGA LBGA-165 FBGA-165
位数 - - 18
存取时间(Max) - - 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 - 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
电源电压(DC) 1.80 V, 1.90 V (max) - -
时钟频率 200MHz (max) - -
存取时间 0.45 ns - -
内存容量 36000000 B - -
高度 - 0.89 mm 0.89 mm
封装 FBGA LBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray, Bulk Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead
ECCN代码 - - 3A991.b.2.a