对比图
型号 CY7C1321KV18-250BZC CY7C1321KV18-250BZCT
描述 18兆位的DDR II SRAM四字突发架构333 - MHz时钟实现高带宽 18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture 333-MHz clock for high bandwidth静态随机存取存储器 18Mb 250Mhz 1.8V DDR-II 静态随机存取存储器
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165
供电电流 370 mA -
时钟频率 250 MHz -
位数 36 36
存取时间 1 ms -
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
封装 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tray Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准