GBJ808和KBU8K

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GBJ808 KBU8K KBU808-G

描述 8A Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 VoltsBridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 800V V(RRM), Silicon, 23.50 X 5.7MM, 19.3MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4Silicon Bridge Rectifiers

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Diotec Semiconductor Comchip Technology (上华科技)

分类 二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 4 -

负载电流 - 8 A -

正向电压 - 1 V -

反向恢复时间 - 1500 ns -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 300 A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -50 ℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Box -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

ECCN代码 - EAR99 -

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