SUP18N15-95和SUP18N15-95-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SUP18N15-95 SUP18N15-95-E3

描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FETMOSFET N-CH 150V 18A TO220-3

数据手册 --

制造商 Vishay Intertechnology Vishay Siliconix

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

封装 - TO-220-3

漏源极电阻 - 95.0 mΩ

极性 - N-Channel

耗散功率 - 88W (Tc)

漏源极电压(Vds) - 150 V

漏源击穿电压 - 150 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 18.0 A

输入电容(Ciss) - 900pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 88W (Tc)

封装 - TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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