FQU5N60C和SSU4N60BTU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQU5N60C SSU4N60BTU SSU4N60B

描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3Pin(3+Tab) IPAK Rail600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 IPAK TO-251-3 IPAK

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 2.8A 2.8A 2.8A

耗散功率 - 2.5 W -

上升时间 - 55 ns -

下降时间 - 55 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 IPAK TO-251-3 IPAK

长度 - 6.8 mm -

宽度 - 2.5 mm -

高度 - 6.3 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台