对比图
型号 MRFE6P3300HR3 MRFE6S9125NR1 MRFE6P3300HR5
描述 RF Power Transistor,470 to 860MHz, 300W, Typ Gain in dB is 20.4 @ 860MHz, 32V, LDMOS, SOT1856RF Power Transistor,865 to 960MHz, 125W, Typ Gain in dB is 20.2 @ 880MHz, 28V, LDMOS, SOT1736FET RF 66V 863MHz NI-860C3
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管晶体管
安装方式 Screw Surface Mount -
引脚数 5 5 5
封装 NI-860C3 TO-270 NI-860C3
频率 857MHz ~ 863MHz 880 MHz 857MHz ~ 863MHz
额定电流 10 µA 10 µA -
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -
输出功率 270 W 27 W 270 W
增益 20.4 dB 20.2 dB 20.4 dB
测试电流 1.6 A 950 mA 1.6 A
输入电容(Ciss) 106pF @32V(Vds) 350pF @28V(Vds) 106pF @32V(Vds)
工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 225 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
额定电压 66 V 66 V 66 V
电源电压 32 V 28 V -
封装 NI-860C3 TO-270 NI-860C3
工作温度 -65℃ ~ 225℃ -65℃ ~ 225℃ -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -