IXTA160N075T7和IXTQ160N075T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA160N075T7 IXTQ160N075T IXTP160N075T

描述 D2PAK N-CH 75V 160ATrans MOSFET N-CH 75V 160A 3Pin(3+Tab) TO-3PTrans MOSFET N-CH 75V 160A 3Pin(3+Tab) TO-220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-263-7 TO-3-3 TO-220-3

漏源极电阻 - - 6.00 mΩ

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 360W (Tc) 360W (Tc) 360 W

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 - - 75.0 V

连续漏极电流(Ids) 160A - 160 A

输入电容(Ciss) 4950pF @25V(Vds) 4950pF @25V(Vds) 4950pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 360 W

耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)

封装 TO-263-7 TO-3-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台