JANSR2N3636L和JANTX2N3637L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANSR2N3636L JANTX2N3637L JANTXV2N3637

描述 TO-5 PNP 175V 1APNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Crystalonics

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 TO-5 TO-5 TO-5

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-5 TO-5 TO-5

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Tray -

击穿电压(集电极-发射极) 175 V 175 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @50mA, 10V -

额定功率(Max) - 1 W -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1000 mW -

极性 PNP - -

集电极最大允许电流 1A - -

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - -

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