对比图
型号 CM200TU-12F MG200J6ES60 BSM150GD60DLC
描述 POWEREX CM200TU-12F IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200A, 600V, 600W, 600V, ModuleGTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control ApplicationsTrans IGBT Module N-CH 600V 180A 21Pin EconoPACK 3A
数据手册 ---
制造商 Powerex Toshiba (东芝) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Chassis - -
引脚数 17 - -
封装 Module - EconoPACK 3A
极性 N-Channel - -
耗散功率 600 W - 570 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V - 600 V
输入电容(Cies) 54nF @10V - 6.5nF @25V
额定功率(Max) 590 W - 570 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 125 ℃
工作温度(Min) - - 40 ℃
封装 Module - EconoPACK 3A
长度 - - 122 mm
宽度 - - 62 mm
高度 - - 17 mm
产品生命周期 Obsolete Active Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - 无铅
工作温度 - - 150℃ (TJ)