对比图
型号 IRF7343 IRF7343TR AUIRF7343QTR
描述 SOIC N+P 55V 4.7A/3.4ASOIC N+P 55V 4.7A/3.4A双路场效应管, MOSFET, 双路N和P通道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC SO-8
额定电流 4.70 A 4.70 A -
极性 Dual N-Channel, Dual P-Channel Dual N-Channel, Dual P-Channel N+P
产品系列 IRF7343 IRF7343 -
漏源极电压(Vds) 55.0 V 55.0 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 3.40 A 3.40 A 4.7A/3.4A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 2 W
额定电压(DC) 55.0 V - -
额定功率 - - 4.7 W
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - - 0.043 Ω
耗散功率 - - 2 W
阈值电压 - - 1 V
输入电容(Ciss) - - 740pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 2 W
封装 SOIC-8 SOIC SO-8
长度 - - 4.9 mm
宽度 - - 3.9 mm
高度 - - 1.75 mm
产品生命周期 Active End of Life Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99