5962-8866205XX和IDT71256S35DB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 5962-8866205XX IDT71256S35DB NS41256S35J/883

描述 Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28CMOS静态RAM 256K ( 32K ×8位) CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)32KX8 STANDARD SRAM, 35ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Device Technology (艾迪悌) TI (德州仪器)

分类 存储芯片

基础参数对比

引脚数 - - 28

封装 DIP DIP DIP

长度 - - 37.08 mm

宽度 - - 7.62 mm

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

ECCN代码 - 3A001 -

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