对比图
型号 IXFH44N50Q3 IXFK44N50P IXFH44N50P
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N沟道 500V 44AIXYS SEMICONDUCTOR IXFH44N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 44 A, 500 V, 140 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-247-3
额定电压(DC) - 500 V 500 V
额定电流 - 44.0 A 44.0 A
额定功率 - 500 W -
通道数 1 1 1
漏源极电阻 - 140 mΩ 0.14 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 830 W 650 W 650 W
输入电容 - 5.44 nF 5.44 nF
栅电荷 - 98.0 nC 98.0 nC
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) - 44.0 A 44.0 A
上升时间 250 ns 29 ns 29 ns
输入电容(Ciss) 4800pF @25V(Vds) 5440pF @25V(Vds) 5440pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 650 W 650 W
下降时间 9 ns 27 ns 27 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 830W (Tc) 658W (Tc) 658W (Tc)
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 5 V
反向恢复时间 - - 200 ns
长度 16.26 mm 19.96 mm 16.26 mm
宽度 5.3 mm 5.13 mm 5.3 mm
高度 16.26 mm 26.16 mm 21.46 mm
封装 TO-247-3 TO-264-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15