FF300R12KT4HOSA1和SKM300GB12T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FF300R12KT4HOSA1 SKM300GB12T4 SKM300GM12T4

描述 INFINEON  FF300R12KT4HOSA1  晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 1.2 kV, ModuleSEMIKRON  SKM300GB12T4  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 422 A, 1.85 V, 1.2 kV, ModuleSEMIKRON  SKM300GM12T4  晶体管, IGBT模块, 422A, 1200V, SEMITRANS3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Semikron (赛米控) Semikron (赛米控)

分类 晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

引脚数 7 7 7

封装 62MM-1 Semitrans3 SEMITRANS 3

安装方式 - Screw -

针脚数 7 7 -

极性 NPN Dual N-Channel -

耗散功率 1.6 kW - -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V - -

输入电容(Cies) 19nF @25V - -

额定功率(Max) 1600 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 1600000 mW - -

热阻 - 0.05K/W (RθJC) -

封装 62MM-1 Semitrans3 SEMITRANS 3

长度 - 106.4 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active - -

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台