IRS2302SPBF和IRS2302STRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRS2302SPBF IRS2302STRPBF AUIRS2301STR

描述 INFINEON  IRS2302SPBF  门驱动器, IGBT/MOSFET, 高压侧, 5V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8半桥 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mAP沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器电源管理FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 5.00V (min) - -

上升/下降时间 130ns, 50ns 130ns, 50ns 130ns, 50ns

输出接口数 2 2 2

针脚数 8 - 8

耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW

下降时间(Max) 80 ns 80 ns 80 ns

上升时间(Max) 220 ns 220 ns 220 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

电源电压 5V ~ 20V 5V ~ 20V 5V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V 20 V 20 V

电源电压(Min) 5 V 5 V 5 V

静态电流 - - 160 µA

上升时间 - 220 ns 130 ns

下降时间 - 80 ns 50 ns

输出电流 - 200 mA -

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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