对比图
型号 503SP IRF1503SPBF IRF1503STRLPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3D2PAK N-CH 30V 190AD2PAK N-CH 30V 190A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 - TO-263-3 TO-263-3
额定功率 - 200 W 200 W
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 - 200 W 200W (Tc)
漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 190A 190A
上升时间 - 130 ns 130 ns
输入电容(Ciss) - 5730pF @25V(Vds) 5730pF @25V(Vds)
下降时间 - 48 ns 48 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 200W (Tc) 200W (Tc)
长度 - 6.5 mm -
宽度 - 6.22 mm -
高度 - 2.3 mm -
封装 - TO-263-3 TO-263-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active
包装方式 - Rail, Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free