HGTG40N60B3和IXGH 30N60C2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HGTG40N60B3 IXGH 30N60C2 IRGP4069DPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG40N60B3  单晶体管, IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin (3+Tab) TO-247Co-Pack IGBT 超过 21A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-247-3 - TO-247-3

额定功率 - - 268 W

针脚数 3 - 3

耗散功率 290 W - 268 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V - 600 V

反向恢复时间 - - 120 ns

额定功率(Max) 290 W - 268 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 290000 mW - 268 W

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 70.0 A - -

极性 N-Channel - -

长度 15.87 mm - 15.87 mm

宽度 4.82 mm - 5.31 mm

高度 20.82 mm - 20.7 mm

封装 TO-247-3 - TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs - Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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