BSS89和BSS89E6296

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS89 BSS89E6296 BSS89E6325

描述 N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistorSIPMOS小信号晶体管 SIPMOS Small-Signal TransistorSIPMOS小信号晶体管 SIPMOS Small-Signal Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类

基础参数对比

封装 TO-92 TO-92 TO-92

引脚数 3 - -

封装 TO-92 TO-92 TO-92

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

输入电容(Ciss) 45pF @25V(Vds) - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 1000 mW - -

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