IRFB23N15DPBF和IRFB4615PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB23N15DPBF IRFB4615PBF IRFB23N20DPBF

描述 INFINEON  IRFB23N15DPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 150 V, 90 mohm, 10 V, 5.5 VINFINEON  IRFB4615PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 150 V, 32 mohm, 10 V, 3 VINFINEON  IRFB23N20DPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 5.5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 3.8 W 144 W 170 W

通道数 - 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.09 Ω 0.032 Ω 0.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 136 W 144 W 170 W

阈值电压 5.5 V 3 V 5.5 V

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 200 V

漏源击穿电压 - 150 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 23A 35A 24A

上升时间 32 ns 35 ns 32 ns

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1750pF @50V(Vds) 1960pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W 144 W 3.8 W

下降时间 8.4 ns 20 ns 16 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 136W (Tc) 144W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc)

长度 10.54 mm 10.67 mm 10 mm

宽度 4.69 mm 4.83 mm 4.4 mm

高度 19.3 mm 9.02 mm 15.65 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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