对比图
型号 IXTH16P60P IXTT16P60P
描述 TO-247P-CH 600V 16ATO-268P-CH 600V 16A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-268-3
极性 P-CH P-CH
耗散功率 460 W 460 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 16A 16A
输入电容(Ciss) 5120pF @25V(Vds) 5120pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 460W (Tc) 460W (Tc)
通道数 1 -
漏源极电阻 720 mΩ -
阈值电压 4 V -
漏源击穿电压 600 V -
上升时间 25 ns -
下降时间 38 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -
封装 TO-247-3 TO-268-3
长度 16.26 mm -
宽度 5.3 mm -
高度 21.46 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free