FF300R12KE4HOSA1和SKM300GB12E4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FF300R12KE4HOSA1 SKM300GB12E4 SKM300GB12V

描述 INFINEON  FF300R12KE4HOSA1  晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 460 A, 1.75 V, 1.6 kW, 1.2 kV, ModuleSEMIKRON  SKM300GB12E4  晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 422 A, 1.85 V, 1.2 kV, ModuleSEMIKRON  SKM300GB12V  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 420 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Semikron (赛米控) Semikron (赛米控)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管晶体管

基础参数对比

引脚数 7 7 7

封装 62MM-1 Semitrans3 Module

针脚数 7 - 7

极性 NPN NPN Dual N-Channel

耗散功率 1.6 kW - -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V - -

输入电容(Cies) 19nF @25V - -

额定功率(Max) 1600 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1600000 mW - -

长度 106.4 mm 106.4 mm -

宽度 61.4 mm 61.4 mm -

高度 30.9 mm 30.5 mm -

封装 62MM-1 Semitrans3 Module

工作温度 -40℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Design Active

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -

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