IS43DR16128A-3DBLI和IS43DR16128C-3DBLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43DR16128A-3DBLI IS43DR16128C-3DBLI

描述 2G, 1.8V, DDR2, 128Mx16, 333MHz @ CL5, 84 ball BGA (10.5mmx13.5mm) RoHS, IT2g, 1.8V, Ddr2, 128mx16, 333MHz @ Cl5, 84 Ball Bga (8mmx12.5mm) Rohs, It

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 84 84

封装 LFBGA-84 BGA-84

供电电流 350 mA 194 mA

位数 16 16

存取时间 450 ps 450 ps

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

存取时间(Max) - 0.45 ns

封装 LFBGA-84 BGA-84

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Not Recommended Active

包装方式 Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99

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