IRF1010ZPBF和STP60NF06L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1010ZPBF STP60NF06L PHP54N06T,127

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 94A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeN 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsTO-220AB N-CH 55V 54A

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V -

额定电流 75.0 A 60.0 A -

通道数 1 - -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 140 W 110 W 118 W

产品系列 IRF1010Z - -

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 55.0 V 60.0 V -

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 60.0 A 54A

上升时间 150 ns 220 ns 74 ns

输入电容(Ciss) 2840pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds) 1592pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 110 W 118 W

下降时间 - 30 ns 40 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 118W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.014 Ω -

阈值电压 - 1 V -

栅源击穿电压 - ±15.0 V -

宽度 4.4 mm 4.6 mm 4.7 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm 10.3 mm

高度 - 9.15 mm 9.4 mm

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 -

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