FDS6375和IRF6216PBF

对比图

型号 FDS6375 IRF6216PBF NDS8434

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6375  晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -20 V, 24 mohm, -4.5 V, -700 mVTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8Pin SOIC TubeFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS8434  晶体管, MOSFET, P沟道, -6.5 A, -20 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -700 mV

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -20.0 V - -20.0 V

额定电流 -8.00 A - -6.70 A

通道数 1 1 1

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.014 Ω 240 mΩ 0.026 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

输入电容 2.69 nF - 2.33 nF

栅电荷 26.0 nC - 80.0 nC

漏源极电压(Vds) 20 V 150 V 20 V

漏源击穿电压 -400 V -150 V -20.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

连续漏极电流(Ids) 8.00 A -2.20 A -6.50 A

上升时间 9 ns 15 ns -

输入电容(Ciss) 2694pF @10V(Vds) 1280pF @25V(Vds) 2330pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2.5 W 1 W

下降时间 57 ns 26 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW 2.5W (Ta)

产品系列 - IRF6216 -

阈值电压 - 5 V -

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - 3.9 mm

高度 1.5 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99