TPS2815D和TPS2815DRG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TPS2815D TPS2815DRG4 TPS2815DG4

描述 MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 4.00V (min) - 4.00V (min)

上升/下降时间 14ns, 15ns 14ns, 15ns 14ns, 15ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 11.5 V - -

输出电流 2.00 A - 2 A

供电电流 5.00 mA - -

耗散功率 0.73 W - 730 mW

上升时间 35 ns - 14 ns

下降时间 35 ns - 15 ns

下降时间(Max) 35 ns - 35 ns

上升时间(Max) 35 ns - 35 ns

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

耗散功率(Max) 730 mW - 730 mW

电源电压 4V ~ 14V 4V ~ 14V 4V ~ 14V

电源电压(Max) 14 V - 14 V

电源电压(Min) 4 V - 4 V

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

高度 1.58 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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