FDD6680AS和FDD6680AS_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD6680AS FDD6680AS_NL FDD6680S

描述 ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6680AS, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET30V N沟道的PowerTrench SyncFET⑩ 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-252-3 DPAK TO-252

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 - -

极性 - N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 55A 55A

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0105 Ω - -

耗散功率 60 mW - -

阈值电压 1.4 V - -

上升时间 6 ns - -

输入电容(Ciss) 1200pF @15V(Vds) - -

额定功率(Max) 1.3 W - -

下降时间 12 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 60 W - -

封装 TO-252-3 DPAK TO-252

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.39 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Exempt

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

ECCN代码 - EAR99 -

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