MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A和MT29F256G08AUCABH3-10IT:A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A MT29F256G08AUCABH3-10IT:A MT29F256G08AUCABH3-10Z:A

描述 NAND闪存 MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A BGA100SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 256G-bit 32G x 8 100Pin LBGASLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 256Gbit 32G x 8Bit 100Pin LBGA

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 Flash芯片Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

引脚数 100 100 100

封装 BGA-100 BGA-100 BGA-100

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

工作电压 3.30 V 3.30 V 3.30 V

位数 8 8 8

内存容量 32000000000 B 32000000000 B 32000000000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

时钟频率 100 MHz - 100 MHz

封装 BGA-100 BGA-100 BGA-100

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

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