MTD9N10E1和NTD6416ANT4G的区别_MTD9N10E1代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 MTD9N10E1 NTD6416ANT4G MTD9N10ET4

描述 POWER MOSFET 9 AMPS ， 100伏 POWER MOSFET 9 AMPS, 100 VOLTSON SEMICONDUCTOR NTD6416ANT4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 0.073 ohm, 10 V, 2 V9A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 DPAK TO-252-3 -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.073 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 - 71 W -

阈值电压 - 2 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

上升时间 - 22 ns -

输入电容(Ciss) - 620pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 71 W -

下降时间 - 20 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 71W (Tc) -

连续漏极电流(Ids) 9A - -

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

封装 DPAK TO-252-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -